MEGGER直流电阻测试仪MIT415上海有现货

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传感器，尤其是MEMS器件的市场机遇也面临着制造方面的挑战，具体包括：

• 晶圆尺寸过渡：目前图像传感器制造使用的是300mm晶圆，而MEMS器件的制造将在不久的将来从小直径晶圆转移至300mm晶圆。所有晶圆制造厂都面临边缘不连续性的问题，而这个问题在晶圆尺寸提升至300mm后会更难解决。

  加工：MEMS和逻辑CMOS的晶圆加工是*不同的。在加工MEMS晶圆时，器件制造商可能需要用到双面抛光晶圆、带薄膜的空腔晶圆、需特殊传动的临时键合晶圆、单晶圆清洗、结构释放刻蚀和斜面工程技术。

• 深度反应离子刻蚀（DRIE）：MEMS器件生产需要降低斜率、更好的关键尺寸和深度均匀性以及其他与集成和覆盖相关的半关键刻蚀工艺。另外，对未来的MEMS制造来说，提升分辨率和生产率也非常重要。

  等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的特殊要求：MEMS制造对沉积过程中的应力控制有*的要求并可能需要低温加工技术。

  压电材料：有越来越多的压电材料被用来实现MEMS器件的功能。但对于制造设备来说，这些材料属于具有*特性和制造要求的新物质。钼（Mo）和铂（Pt）等电极材料可用于避免在压电层极化过程中产生不均匀的电场。

  晶圆尺寸的影响：任何刻蚀都要面临边缘不连续性以及由其导致的边缘反应物、钝化和鞘层梯度。

腔室和晶圆之间的温度差会导致温度的不连续性，这种不连续性又会导致钝化梯度。材料（或化学）的不连续性和反应物梯度会导致化学物质吸附速率出现差异。除温度梯度以外，晶圆边缘反应物消耗量和副产物排放速率的变化也会导致吸附速率发生变化。在晶圆的边缘，从偏置表面到接地或悬浮表面的变化也会导致等离子体壳层弯曲并进而改变离子相对于晶圆的运动轨迹。

任何晶圆的刻蚀都涉及边缘不连续性，而且随着晶圆尺寸提升至300mm，这些问题对良率的影响会更为显著。对300mm晶圆来说，外层8mm边缘的表面积占比可达10％左右，即使是外层2mm边缘也几乎占据晶圆表面积的3％，依然具有不可忽视的影响

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